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NTD5802N, NVD5802N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
8000
7000
6000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
12
Q T
I D = 50 A
T J = 25 ° C
30
24
5000
4000
3000
9
6
V DS
Q GS
Q DS
V GS
18
12
2000
C oss
1000
C rss
0
10 5 0 5 10 15 20 25 30 35
V GS V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
V DD = 20 V
I D = 50 A
t d(off)
V GS = 10 V
t r
40
3
0
0
20 40 60
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
60
V GS = 0 V
50
T J = 25 ° C
6
0
80
100
40
10
t f
t d(on)
30
20
10
1
1
10
100
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1000
100
10
V GS = 10 V
Single Pulse
1 T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
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